參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5551
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistors
中文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2N5551
1999 Apr 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
2N5550; 2N5551
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
200
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
2N5550
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
E
= 0; V
CB
= 100 V; T
amb
= 100
°
C
100
100
nA
μ
A
collector cut-off current
2N5551
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V; T
amb
= 100
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
50
50
50
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
2N5550
2N5551
DC current gain
2N5550
2N5551
DC current gain
2N5550
2N5551
collector-emitter saturation voltage
collector-emitter saturation voltage
2N5550
2N5551
base-emitter saturation voltage
60
80
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
60
80
250
250
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
20
30
150
V
CEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 5 mA
mV
100
250
200
1
1
6
30
300
mV
mV
V
V
pF
pF
MHz
V
BEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 5 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
C
c
C
e
f
T
F
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
2N5550
2N5551
10
8
dB
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5551 Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,High Voltage Application)(外延平面NPN晶體管（通用型，高電壓應(yīng)用）)
2N5564 Matched N-Channel JFET Pairs
2N5565 Matched N-Channel JFET Pairs
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2N5583LP 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5551 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551,412 功能描述:TRANSISTOR NPN 160V 300MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2N5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
2N5551_10 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
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