參數(shù)資料
型號: 2N5551-X-AB3-R
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
中文描述: 高壓開關晶體管
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 61K
代理商: 2N5551-X-AB3-R
2N5551
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 4
QW-R201-002.B
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
DC Current Gain
Collector Current, I
C
(mA)
D
F
V
CE
=5V
Collector Output Capacitance
Collector-Base Voltage (V)
C
o
(
0
2
4
6
8
10
f=1MHz
I
E
=0
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
Base-Emitter on Voltage
C
C
(
Base-Emitter Voltage (V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
CE
=5V
Collector Current, I
C
(mA)
S
Saturation Voltage
I
C
=10*I
B
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
Current Gain-Bandwidth Product
Collector Current, I
C
(mA)
C
f
T
(
V
CE
=10V
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
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