參數(shù)資料
型號: 2N5551-C-T92-R
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
中文描述: 高壓開關(guān)晶體管
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 61K
代理商: 2N5551-C-T92-R
2N5551
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
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QW-R201-002.B
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
DC Current Gain
Collector Current, I
C
(mA)
D
F
V
CE
=5V
Collector Output Capacitance
Collector-Base Voltage (V)
C
o
(
0
2
4
6
8
10
f=1MHz
I
E
=0
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
Base-Emitter on Voltage
C
C
(
Base-Emitter Voltage (V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
CE
=5V
Collector Current, I
C
(mA)
S
Saturation Voltage
I
C
=10*I
B
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
Current Gain-Bandwidth Product
Collector Current, I
C
(mA)
C
f
T
(
V
CE
=10V
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N5551CTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551CYTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 160V 600mA HFE/250 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed
2N5551G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 160V TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V TO-92