參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5415S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High-Voltage Amplifier(高壓放大器(硅平面外延工藝PNP晶體管))
中文描述： 高電壓放大器（高壓放大器（硅平面外延工藝進(jìn)步黨晶體管））
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： 2N5415S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
I
CBO
Parameter
Test Conditions
V
CB
= – 175 V
Min.
Typ.
Max.
– 50
Unit
μ
A
Collector Cutoff Current
(I
E
= 0)
Collector Cutoff Current
(I
B
= 0)
Emitter Cutoff Current
(I
C
= 0)
Collector-emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
Collector-emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
DC Current Gain
Transition Frequency
I
CEO
V
CE
= – 150 V
– 50
μ
A
I
EBO
V
EB
= – 4 V
– 20
μ
A
V(
BR)CEO
*
I
C
= – 2 mA
– 200
V
V
CE(sat)
*
I
C
= – 50 mA
I
C
= – 50 mA
I
C
= – 50 A
I
C
= – 10 mA
f = 5 MHz
I
B
= – 5 mA
V
CE
= – 10 V
V
CE
= – 10 V
V
CE
= – 10 V
– 2.5
– 1.5
150
V
V
V
BE
*
h
FE
*
f
T
30
15
MHz
C
CBO
Collector-base
Capacitance
I
E
= 0
f = 1 MHz
V
CB
= – 10 V
15
pF
* Pulsed : pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1 %.
THERMAL DATA
R
th j-case
R
th j-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
17.5
175
°
C/W
°
C/W
2N5415S
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PDF描述
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2N5416CSM4 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR
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