參數(shù)資料
型號： 2N5401UB07
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, LCC-3
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： 2N5401UB07
2N5401HR
Electrical characteristics
Doc ID 16934 Rev 2
3/10
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
Table 5.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector-base cut-off
current (IE = 0)
VCB = -120 V
TC = 150 °C
-50
nA
A
IEBO
Emitter-base cut-off
current (IC = 0)
VEB = -3 V
-50
nA
V(BR)CBO
Collector-base
breakdown voltage
(IE = 0)
IC = -100 A
-160
V
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤ 2 %
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = -1 mA
-150
V
V(BR)EBO
Emitter-base
breakdown voltage
(IC = 0)
IE = -10 A
-5
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = -10 mA
IB = -1 mA
IC = -50 mA
IB = -5 mA
-0.2
-0.5
V
VBE(sat)
(1)
Base-emitter
saturation voltage
IC = -10 mA
IB = -1 mA
IC = -50 mA
IB = -5 mA
-1
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = -1 mA
VCE = -5 V
IC = -10 mA
VCE = -5 V
IC = -50 mA
VCE = -5 V
IC = -10 mA
VCE = -5 V
Tamb = -55 °C
50
60
20
240
hfe
Small signal current
gain
VCE = -10 V
IC = -10 mA
f = 10 kHz
5
Cobo
Output capacitance
(IE = 0)
VCB = -10 V
f = 1 MHz
6
pF
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PDF描述
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