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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5401 |
| 廠商： | Semtech Corporation |
| 英文描述： | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅平面晶體管Expitaxial一般用途，高電壓放大器應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | 2N5401 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5401RLRA | Amplifier Transistors |
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| 2N5401 | Amplifier Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5401 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92 |
| 2N5401/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistors PNP Silicon |
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