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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5306 |
| 英文描述： | SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 硅達(dá)林頓晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2N5306 |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2N5306_D74Z | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N5306_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 2N5306_Q | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N5306A | 制造商:GESS 制造商全稱:GESS 功能描述:SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
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