參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5192
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： 2N5192
Electrical characteristics
2N5191 2N5192
4/9
2.1
Electrical characteristic (curves)
Figure 2.
DC current gain
Figure 3.
DC current gain
Figure 4.
Collector-emitter saturation
voltage
Figure 5.
Base-emitter saturation
voltage
Figure 6.
Base-emitter on voltage
Figure 7.
Resistive load switching time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5195 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N5194 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N5209RLRF 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5209RLRA 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5210RLRP 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5192 SL H 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
2N5192 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
2N5192G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5192R 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
2N5193 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTORPNP1A40VTO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR,PNP,1A,40V,TO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*