參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5190
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER
中文描述： 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： 2N5190
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5192 NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER
2N5191 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS
2N5191 NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER
2N5191 POWER TRANSISTORS SILICON NPN
2N5192 Medium Power NPN Silicon Transistors(NPN硅晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5190G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5191 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5191 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-126
2N5191/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2N5191_00 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS
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