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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5114 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻75Ω，夾斷電流-10pA的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | P溝道場效應(yīng)（最大導(dǎo)通電阻75Ω，夾斷電流，10pA的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | 2N5114 |
2N5114/5115/5116
Siliconix
P-37410—Rev. D, 04-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
0
0
1
2
3
4
5
–16
–32
–48
–64
–80
Transfer Characteristics
T
A
= –55 C
125 C
–
I
D
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
T
A
= –55 C
125 C
–
I
D
Transfer Characteristics
Transfer Characteristics
T
A
= –55 C
125 C
–
I
D
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–40
0
3
4
5
–32
–16
–8
0
–24
1
2
10
100
1 k
100 k
10 k
100
10
1
Noise Voltage vs. Frequency
V
DS
= –10 V
I
D
= –0.1 mA
–1 mA
25 C
V
DS
= –15 V
V
GS(off)
= 1.5 V
25 C
V
DS
= –15 V
V
GS(off)
= 3 V
V
DS
= –15 V
V
GS(off)
= 5 V
25 C
(
e
n
/
√
)
–
Switching Time Test Circuit
2N5114
2N5115
2N5116
V
DD
V
GG
R
L
*
R
G
*
I
D(on)
V
GS(H)
V
GS(L)
*Non-inductive
–10 V
–6 V
–6 V
20 V
12 V
8 V
430
910
2 k
100
220
390
–15 mA
–7 mA
–3 mA
0 V
0 V
0 V
–11 V
–7 V
–5 V
Input Pulse
Sampling Scope
Rise Time < 1 ns
Fall Time < 1 ns
Pulse Width 100 ns
PRF 1 MHz
Rise Time 0.4 ns
Input Resistance 10 M
Input Capacitance 1.5 pF
See Typical Characteristics curves for changes.
7.5 k
51
1.2 k
51
51
1.2 k
0.1 F
Sampling
Scope
V
GG
–V
DD
R
G
V
GS(H)
V
GS(L)
R
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5115 | P-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻100Ω，夾斷電流-10pA的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 2N5133 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-106 |
| 2N5128 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-105 |
| 2N5135 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-105 |
| 2N5224 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5114_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:P-CHANNEL J-FET |
| 2N5114_TO-18 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:P-CHANNEL JFET |
| 2N5114-16 | 制造商:CALOGIC 制造商全稱:CALOGIC 功能描述:P-Channel JFET Switch |
| 2N5114-E3 | 功能描述:JFET 30V 10pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5114JAN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel JFETs |
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