參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4918LEADFREE
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2N4918LEADFREE
Power Transistors
TO-126 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(mA)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
2N4921
2N4918
1.0
30
40
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N4922
2N4919
1.0
30
60
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N4923
2N4920
1.0
30
80
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N5190
2N5193
4.0
40
25
100
1,500
0.6
1.5
2.0
2N5191
2N5194
4.0
40
60
25
100
1,500
0.6
1.5
2.0
2N5192
2N5195
4.0
40
80
20
80
1,500
0.6
1.5
2.0
2N5655
0.5
20
275
250
30
250
100
1.0
0.1
10
2N5656
0.5
20
325
300
30
250
100
1.0
0.1
10
2N5657
0.5
20
375
350
30
250
100
1.0
0.1
10
2N6037
2N6034
4.0
40
750
15,000
2,000
2.0
25
2N6038
2N6035
4.0
40
60
750
15,000
2,000
2.0
25
2N6039
2N6036
4.0
40
80
750
15,000
2,000
2.0
25
BD135
BD136
1.5
12.5
45
63
250
150
0.5
- -
BD137
BD138
1.5
12.5
60
63
250
150
0.5
- -
BD139
BD140
1.5
12.5
100
80
63
250
150
0.5
- -
BD175
BD176
3.0
30
45
40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD177
BD178
3.0
30
60
40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD179
BD180
3.0
30
80
40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD233
BD234
2.0
25
45
40
- -
150
0.6
1.0
3.0
BD235
BD236
2.0
25
60
40
- -
150
0.6
1.0
3.0
BD237
BD238
2.0
25
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40
- -
150
0.6
1.0
3.0
BD433
BD434
4.0
36
22
40
- -
10
0.5
2.0
3.0
BD435
BD436
4.0
36
32
40
- -
10
0.5
2.0
3.0
BD437
BD438
4.0
36
45
30
- -
10
0.6
2.0
3.0
BD439
BD440
4.0
36
60
20
- -
10
0.8
2.0
3.0
BD441
BD442
4.0
36
80
15
- -
10
0.8
2.0
3.0
BD675
BD676
4.0
40
45
750
- -
1.5
2.5
1.5
1.0
BD675A
BD676A
4.0
40
45
750
- -
2.0
2.8
2.0
1.0
BD677
BD678
4.0
40
60
750
- -
1.5
2.5
1.5
1.0
BD677A
BD678A
4.0
40
60
750
- -
2.0
2.8
2.0
1.0
BD679
BD680
4.0
40
80
750
- -
1.5
2.5
1.5
1.0
BD679A
BD680A
4.0
40
80
750
- -
2.0
2.8
2.0
1.0
BD681
BD682
4.0
40
100
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- -
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BD683
BD684
4.0
40
120
750
- -
1.5
2.5
1.5
1.0
BF469
BF470
0.05
1.25
250
50
- -
0.025
0.6
0.03
60
BF471
BF472
0.05
1.25
300
50
- -
0.025
0.6
0.03
60
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(6-December 2004)
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PDF描述
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2N4919G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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