參數(shù)資料
型號： 2N4400
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： 2N4400
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 6
Characteristic
Collector Emitter Voltage
I
C
=1mA, I
B
=0
Collector Base Voltage
I
C
=100μA, I
E
=0
Emitter Base Voltage
I
E
=100μA, I
C
=0
Base Cutoff Current
V
CE
=35V, V
BE
=0.4V
Collector Cutoff Current
V
CE
=35V, V
BE
=0.4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
Symbol
2N4400/01
2N4402/03
Unit
BV
CEO
*
>40
>40
V
BV
CBO
>60
>40
V
BV
EBO
>6
>5
V
I
BEV
<0.1
<0.1
μA
I
CEX
<0.1
<0.1
μA
V
CE (sat)
*
<0.4
<0.75
<0.4
<0.75
V
V
V
BE (sat)
*
0.75 to 0.95
0.75 to 0.95
V
V
<1.2
<1.3
Characteristic
Symbol
2N4400 2N4401 2N4402 2N4403
Unit
D C Current Gain
I
C
=0.1mA,V
CE
=1V
I
C
=1mA,V
CE
=1V
I
C
=10mA,V
CE
=1V
I
C
=150mA,V
CE
=1V*
I
C
=150mA,V
CE
=2V*
I
C
=500mA,V
CE
=2V*
h
FE
-
>20
>40
>80
-
>30
>60
>100
>20
>40
>30
>50
50-150 100-300
-
>20
-
-
-
50-150 100-300
>20
>40
>20
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Small Signal Current Gain
I
C
=1mA, V
CE
=10V, f=1KHz h
fe
Input Impedance
I
C
=1mA, V
CE
=10V, f=1KHz h
ie
20-250
40-500
30-250
60-500
0.5-7.5
1.0-15
0.75-7.5
1.5-15
K
2N4400, 2N4401
2N4402, 2N4403
相關PDF資料
PDF描述
2N4402 Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)
2N4400 NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N4402 PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N4400 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2N4402 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N4400/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN
2N4400_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
2N4400_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4400_D81Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4400_S00Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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