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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4014 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | HIGH-VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH |
| 中文描述： | 高電壓，大電流開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2N4014 |
2N4014
October 1988
HIGH-VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Parameter
Value
80
80
50
6
1
0.36
1.2
– 65 to 200
Unit
V
V
Collector-base Voltage (I
E
= 0)
Collector-emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Power Dissipation at T
amb
≤
25
°
C
V
V
A
W
W
°
C
at T
case
≤
25
°
C
T
stg
, T
j
Storage and Junction Temperature
The 2N4014isa silicon planar epitaxial transistor in
TO-18metal case. It is a high-voltage, high current
switch used for memory applications requiring
breakdown voltages up to 50 V and operating cur-
rents to 1 A. Fast switching times are assured be-
cause of the high minimum fT (300 MHz) and tight
control on storage time.
DESCRIPTION
TO-18
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1/6
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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