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> 2N3858A SILICON TRANSISTORS PDF資料下載
參數(shù)資料
型號(hào):
2N3858A
英文描述:
SILICON TRANSISTORS
中文描述:
硅晶體管
文件頁數(shù):
3/5頁
文件大?。?/td>
154K
代理商:
2N3858A
第1頁
第2頁
當(dāng)前第3頁
第4頁
第5頁
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PDF描述
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功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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