參數(shù)資料
型號： 2N3502
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述： 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 23K
代理商： 2N3502
2N3502
2N3503
2N3504
2N3505
Prelim. 4/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Parameter
Collector to Base
Breakdown Voltage
Emmiter to Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Test Conditions
Min.
-60
-45
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cutoff Current
Collector Reverse
Current
h
FE
DC Current Gain
Collector Saturation
Voltage
V
BE(sat)
Base Saturation Voltage
F
T
C
ob
t
on
t
off
Transition Frequency
Output Capacitance
Turn On Time
Turn Off Time
-5
-60
-45
0.07
0.05
10
10
10
10
140
115
135
100
80
50
50
270
160
200
150
120
70
100
-0.08
-0.18
-0.5
-0.9
-1.0
300
300
-0.25
-0.4
-1.6
-1.0
-1.3
-2.0
2
2.50
4.5
30
65
8.0
40
100
2N3503 / 2N3505
2N3502 / 2N3504
2N3503 / 2N3505
2N3502 / 2N3504
V
CE
= -50V
V
CE
= -30V
I
E
= 0
t = 150
°
C
I
C
= 10mA
I
C
= 50mA
I
C
= 1.0mA
I
C
= 150mA V
CE
= -10V
I
C
= 10
m
A
I
C
= 500mA V
CE
= -10 V
I
C
= 50mA
I
C
= 50mA
I
C
= 150mA I
B
= 15mA
I
C
= 500mA I
B
= 50mA
I
C
= 50mA
I
C
= 150mA I
B
= 15mA
I
C
= 500mA I
B
= 50mA
I
C
= 50mA
V
CB
= -10V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
CB
= -50V
V
CB
= -30V
V
CE
= -10V
V
CE
= -1.0V
V
CE
= -10 V
2N3503 / 2N3505
2N3502 / 2N3504
2N3503 / 2N3505
2N3502 / 2N3504
V
CE
= -10V
t = -55
°
C
V
CE
= -1.0V
I
B
= 2.5mA
I
B
= 2.5mA
V
CE
= -20V
I
E
= 0
f = 100MH
Z
I
C
= 300mA I
B1
= 30mA
I
B2
= -30mA
V
V
V
nA
m
A
—
V
V
—
pf
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(25
°
C free air temperature unless otherwise stated)
I
C
= 10
mA
I
E
= 0
I
E
= 10
mA
I
C
= 0
BV
CBO
I
C
= 10m
A
I
B
= 0
BV
EBO
V
CEO
I
CBO(150)
V
CE(sat)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3502 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管)
2N3503 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管)
2N3504 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管)
2N3505 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管)
2N3503 Small Signal Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3503 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3504 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3505 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3506 制造商:Motorola 功能描述:3506 MOT PULL N5F3B
2N3506_02 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*