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參數(shù)資料
| 型號： | 2N2219A{AMMOPAK} |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | 2N2219A{AMMOPAK} |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2219A-BP | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2219AHR | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2219AT1 | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2219ALE1 | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2219A | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N2219A-B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2219A-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2219ACG | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| 2N2219AE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 2N2219AHR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORNPN500MA LVCEO=40VOLTSTO-39 SOLDER DI - Bulk |
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