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參數(shù)資料
| 型號： | 28F400BX-TB |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 4兆位（256 × 16，為512k × 8）啟動塊閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 42/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | 28F400BX-TB |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
42
PRELIMINARY
ADDRESSES [A]
CE#(WE#) [E(W)]
OE# [G]
WE#(CE#) [W(E)]
DATA [D/Q]
RP# [P]
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
Valid
SRD
IN
D
IH
V
High Z
IH
V
IL
V
V [V]
PPH
V
V
PPLK
V
PPH
1
2
WP#
IL
V
IH
V
IN
D
A
B
C
D
E
F
W8
W6
W9
W3
W4
W7
W1
W5
W2
W10
W11
(Note 1)
(Note 1)
0580_16
NOTES:
1.
CE# must be toggled low when reading Status Register Data. WE# must be inactive (high) when reading Status Register
Data.
A.
B.
C.
D.
E.
F.
V
CC
Power-Up and Standby.
Write Program or Erase Setup Command.
Write Valid Address and Data (for Program) or Erase Confirm Command.
Automated Program or Erase Delay.
Read Status Register Data (SRD): reflects completed program/erase operation.
Write Read Array Command.
Figure 16. AC Waveform: Program and Erase Operations
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F512 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| 28F640C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導塊閃速存儲器) |
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F400BX-TL/BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 28F400CE-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Boot Block |
| 28F400CV-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F457 | 制造商:General Electric Company 功能描述:Capacitor - 1.75uF 200acV % |
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