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2SAR340PT100Q

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  • 2SAR340PT100Q
    2SAR340PT100Q

    2SAR340PT100Q

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

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2SAR340PT100Q PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • *
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 400V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 400mV @ 2mA,20mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 10μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 82 @ 10mA,10V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 頻率 - 躍遷
  • -
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • MPT3
  • 標準包裝
  • 1
2SAR340PT100Q 技術參數
  • 2SAR340PT100P 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR293PT100 功能描述:TRANS PNP 30V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SAR293PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR293P5T100 功能描述:PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SA965-Y,T6KOJPF(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SAR513RTL 2SAR514P5T100 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100 2SAR533PT100 2SAR542F3TR 2SAR542PFRAT100 2SAR542PT100 2SAR543DTL
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