2SAR340PT100P

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SAR340PT100P
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百正品現(xiàn)貨電話010-621049...

2SAR340PT100P
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
100
ROHM
C07-三極管
2140
-

2SAR340PT100P
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業(yè)執(zhí)照
100
ROHM
2016
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： 2SAR340PT100Q 2SAR502EBTL 2SAR502UBTL 2SAR512P5T100 2SAR512PFRAT100 2SAR512PT100 2SAR512RTL 2SAR513P5T100 2SAR513PFRAT100

2SAR340PT100P PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SAR340PT100P PDF下載

功能描述
PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR
制造商
rohm semiconductor
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
400V
不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）
400mV @ 2mA，20mA
電流 - 集電極截止（最大值）
10μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
82 @ 10mA，10V
功率 - 最大值
500mW
頻率 - 躍遷
-
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-243AA
供應商器件封裝
MPT3
標準包裝
1

2SAR340PT100P 技術參數(shù)

2SAR293PT100 功能描述:TRANS PNP 30V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SAR293PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR293P5T100 功能描述:PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SA965-Y,T6KOJPF(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SA965-Y,T6F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SAR513PT100 2SAR513RTL 2SAR514P5T100 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100 2SAR533PT100 2SAR542F3TR 2SAR542PFRAT100 2SAR542PT100