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參數(shù)資料
| 型號： | 1SS308TE85L |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | 1SS308TE85L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS309 | 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| 1SS312TE85R | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 1SS312TE85L | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 1SS313TE85L | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1SS308TE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:SMALL SIGNAL SWITCHING DIODES |
| 1SS309 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APLICATIONS) |
| 1SS309(TE85L,F) | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Switching Diode 85V, 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1SS309_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Ultra High Speed Switching Applications |
| 1SS311 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Voltage,High Speed Switching Applications |
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