參數(shù)資料
型號(hào): 1N914B
英文描述: HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
中文描述: 高速硅開關(guān)二極管
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 51K
代理商: 1N914B
1999 May 26
5
Philips Semiconductors
Product specication
High-speed diode
1N914
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
handbook, halfpage
0
100
Tj (
oC)
200
103
102
101
102
10
(1)
(2)
1
IR
(
A)
MGD006
(3)
(1) VR = 75 V; maximum values.
(2) VR = 75 V; typical values.
(3) VR = 20 V; typical values.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj =25 °C.
handbook, halfpage
010
20
1.2
1.0
0.6
0.4
0.8
MGD004
VR (V)
Cd
(pF)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N914UR SWITCHING DIODE
1N916 HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
1N935 9.0 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE
1N935A 9.0 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE
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參數(shù)描述
1N914-B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Switching Diode Chips
1N914B A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N914B,113 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N914B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode
1N914B_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: