參數(shù)資料
型號(hào): 1N759
英文描述: TRANSF 12VAC .2A FLAT PACK PWR
中文描述: 硅平面穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 33K
代理商: 1N759
Type
Zener voltage range 1)
V
znom
I
ZT
Maximum
Zener
Impedence
Z
ZT at IZT
Typical
Temperature
coefficient
Maximum reverse leakage
current I
R
2)
at V
R=1V
T
A=25
T
A=150
Maximum
Regulator
current
I
ZM
VmA
%/
uA
uuA
mA
1N746
3.3
20
28
-0.062
10
30
110
1N747
3.6
20
24
-0.055
10
30
100
1N748
3.9
20
23
-0.049
10
30
95
1N749
4.3
20
22
-0.036
2
30
85
1N750
4.7
20
19
-0.018
2
30
75
1N751
5.1
20
17
-0.008
1
20
70
1N752
5.6
20
11
+0.006
1
20
65
1N753
6.2
20
7
+0.022
0.1
20
60
1N754
6.8
20
5
+0.035
0.1
20
55
1N755
7.5
20
6
+0.045
0.1
20
50
1N756
8.2
20
8
+0.052
0.1
20
45
1N757
9.1
20
10
+0.056
0.1
20
40
1N758
10.0
20
17
+0.060
0.1
20
35
1N759
12.0
20
30
+0.060
0.1
20
30
Notes:
(1) Test with pulse tp=20ms.
(2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.
2
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參數(shù)描述
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1N759-1 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400 mW ZENER DIODES
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1N759A BK 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
1N759A TR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1