型號: | 1N6269 |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
封裝: | PLASTIC, DO-27, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大小: | 206K |
代理商: | 1N6269 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N4006TA2B2 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N4007TR | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
11ES2TA1B2 | 0.98 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
11DF3TR | 1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N5473C | VHF-UHF BAND, 56 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N6269A | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 8.2V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6269A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.2V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6269A/4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.2V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6269A/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.2V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6269AE3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |