參數(shù)資料
型號： 1N6119AUS
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, E-MELF-2
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： 1N6119AUS
Voidless-Hermetically-Sealed Surface
Mount Bidirectional Transient Suppressors
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6103US thru 1N6137AUS
and 1N6139US thru 1N6173AUS
1N6
103
US
–
1N6
137
AUS
1N6
139
US
GRAPHS
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2008
05-06-2008 REV D
–
1N6
173
AUS
PULSE TIME (
tp)
FIGURE 1
PEAK PULSE POWER vs. PULSE TIME
MAX
PEAK
PULSE
PO
WER
(P
PP
)OR
CURREN
T
(I
PP
)I
N
PERCENT
OF
MAX
RATIN
G
S
Peak
Pulse
Power
(P
PP
)
100
10
0
10,00
0
JUNCTION TEMPERATURE (TJ) IN
oC
FIGURE 2
PULSE DERATING CURVE
(prior to impulse)
PULSE
CURRE
NT
(I
PP
)
IN
PERCENT
OF
I PP
TIME (t) IN MILLISECONDS
FIGURE 3
PULSE WAVE FORM
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N6135US 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.0KE40A 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.0KE170 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.0KE78A 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.2KE24 1200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N6119AUS/TR 功能描述:BI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:27.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:34.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:49.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
1N6119US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
1N6120 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
1N6120A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 29.7V 500W 2PIN E-LINE - Bulk
1N6120AUS 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR E_SQ._MELF SD - Bulk
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