型號(hào): | 1N6002B |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 27K |
代理商: | 1N6002B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N6005B | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N753A | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N964B | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N966B | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N4383GP | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N6002B BK | 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
1N6002B R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 12V |
1N6002B TR | 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
1N6002B_T50A | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N6002B_T50R | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |