型號: | 1N5468B |
元件分類: | 變?nèi)荻O管 |
英文描述: | 22 pF, 45 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 113K |
代理商: | 1N5468B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
1N5686 | 18 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5708A | 68 pF, 65 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N4809D | 33 pF, 66 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5440A | 4.7 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1.5KE100A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
1N547 | 制造商:n/a 功能描述:1N547 制造商:General Electric Company 功能描述: |
1N5470BJTX | 制造商:TDY 功能描述:1N5470BJTX |
1N5517 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
1N5518 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
1N5518_03 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |