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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5406GM22 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1N5406GM22 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5406GM28 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406GU21 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406GU22 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5407G-F | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5407GH31 | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5406GP | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts |
| 1N5406GP-E3/54 | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,400 |
| 1N5406GP-TP | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 |
| 1N5406G-T | 功能描述:整流器 3.0A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5406K | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON RECTIFIERS |
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