參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5259B-35T/B
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝： ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 1N5259B-35T/B
PAGE . 3
STAD-NOV.08.2006
Vz (V)
2.7
3.9
4.3
4.7 5.1 5.6
6.2
6.8
9.1
11
12
15
20
24
5
10
15
20
25
0
Iz
(mA)
10
20
30
40
50
30
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
50
0
100
200
300
400
500
100
150
200
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
POWER
D
ISSIP
A
TION,
m
W
a
tts
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Test Current
Iz=20mA
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5260A-35 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5260C-35B 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5267B-35T/R 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N6315BD2B.XRAY 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N6319BD2A.CVP 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
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1N5259B-B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 0.5W 39V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5259B-GPS 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:ZENER DIODE DO35-E2
1N5259BRL 制造商:SynSemi Inc 功能描述:
1N5259BT 功能描述:穩(wěn)壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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