參數(shù)資料
型號： 1N5255B
廠商： VISHAY TELEFUNKEN
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝： DO-35, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 1N5255B
1N5221B...1N5267B
Vishay Telefunken
Rev. 2, 06-Aug-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85588
Silicon Z–Diodes
Features
D Very sharp reverse characteristic
D Very high stability
D Low reverse current level
D VZ–tolerance ± 5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
TLx75°C
PV
500
mW
Z–current
IZ
PV/VZ
mA
Junction temperature
Tj
200
°C
Storage temperature range
Tstg
–65...+200
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Junction ambient
l=9.5mm (3/8”), TL=constant
RthJA
300
K/W
Electrical Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
IF=200mA
VF
1.1
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1T4 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N5232B 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5250B 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
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1N5255B BK 功能描述:DIODE ZENER 28V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:44 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
1N5255B TR 功能描述:DIODE ZENER 28V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:44 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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