型號: | 1N5250B153 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 20 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件頁數(shù): | 2/5頁 |
文件大小: | 168K |
代理商: | 1N5250B153 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1SS88TA | SILICON, MIXER DIODE, DO-35 |
160MT80KB | 3 PHASE, 160 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
1N827A133 | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34 |
1N748AT50A | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N751AT26R | 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N5250BAL | 制造商:Motorola 功能描述:1N5250BAL MOT LOC: 1775 |
1N5250B-B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 0.5W 20V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5250BRL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
1N5250B-T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N5250BTA | 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14.3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |