參數(shù)資料
型號: 1N5236BTA-E
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝: GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 124K
代理商: 1N5236BTA-E
1N5223B through 1N5258B
Rev.2, Dec. 2001, page 6 of 7
Package Dimensions
Hitachi Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
DO-35
Conforms
0.13 g
26.0 Min
4.2 Max
26.0 Min
0.5
2.0
φ
As of July, 2001
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5243BTA-E 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5248B 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5249B 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5256P 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
1N5236B-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 7.5 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5236B-TP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500mW 7.5V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5236BTR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 7.5V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5236B-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 7.5 Volt 0.5 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5236B-TR/BKN 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode; Zener; 7.5 V; 500 mW; DO-35; IR=20 mA; IL=3 a??A; IF=200 mA