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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5059 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | Controlled avalanche rectifiers |
| 中文描述： | 0.8 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 1N5059 |
1996 Jun 19
5
Philips Semiconductors
Product specication
Controlled avalanche rectiers
Solid line: Tj =25 °C.
Dotted line: Tj = 175 °C.
Fig.6
Forward current as a function of forward
voltage; maximum values.
handbook, halfpage
0
15
I
F
10
5
0
12
MGC735
V
F
(V)
(A)
Fig.7
Reverse current as a function of junction
temperature; maximum values.
handbook, halfpage
10 3
10
(
A)
I
R
2
10
1
10 1
200
0
MGC734
40
80
120
160
T
j
(
oC)
max
VR =VRRMmax.
Fig.8
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj =25 °C.
handbook, halfpage
10 2
MBG031
10
1
10 2
10
Cd
(pF)
VR (V)
Fig.9 Device mounted on a printed-circuit board.
handbook, halfpage
MGA200
3
2
7
50
25
50
Dimensions in mm.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5060 | Controlled avalanche rectifiers |
| 1N5139A | GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
| 1N5139 | GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
| 1N5140A | GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
| 1N5140 | GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5059/1 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:STANDARD AVALANCHE DIODE |
| 1N5059/4 | 功能描述:整流器 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5059_05 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden |
| 1N5059_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Standard silicon rectifier diodes |
| 1N5059_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Avalanche Sinterglass Diode |
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