參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4947GP-HE3
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 316K
代理商： 1N4947GP-HE3
1N4942GP thru 1N4948GP
Document Number 88511
19-Sep-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
1
Pat
ente
d*
DO-204AL (DO-41)
* Glass-plastic encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602,
brazed-lead assembly
by Patent No. 3,930,306
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
1.0 A
VRRM
200 V to 1000 V
IFSM
25 A
trr
150 ns, 250 ns, 500 ns
IR
1.0 A
VF
1.3 V
Tj max.
175 °C
Features
Superectifier structure for High Reliability
condition
Cavity-free glass-passivated junction
Fast switching for high efficiency
Low leakage current
High forward surge capability
Meets environmental standard MIL-S-19500
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Typical Applications
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for
consumer, automotive and Telecommunication
Mechanical Data
Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes cathode end
Maximum Ratings
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
1N4942GP
1N4944GP
1N4946GP
1N4947GP
1N4948GP
Unit
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
200
400
600
800
1000
V
Maximum RMS voltage
VRMS
140
280
420
560
700
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
200
400
600
800
1000
V
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 55 °C
IF(AV)
1.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single
half sine-wave superimposed on rated load
IFSM
25
A
Operating junction and storage
temperature range
TJ, TSTG
- 65 to + 175
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4946GP/71 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4945 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4946GP 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5059 Passivated Rectifier
1N5060 Passivated Rectifier
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參數(shù)描述
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1N4947GPHM3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，Superectifier? 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:250ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1N4947GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，Superectifier? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:250ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500
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