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參數(shù)資料
| 型號： | 1N4764A-G |
| 廠商： | PanJit International Inc. |
| 英文描述： | SILICON ZENER DIODE |
| 中文描述： | 硅穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 407K |
| 代理商： | 1N4764A-G |
PAGE . 4
STAD-MAY.17.2006
1N4728A-G~1N4764A-G
FIGURE.6 EFFECT OF ZENER CURRENT ON ZENER IMPEDANCE
FIGURE.7 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
FIGURE.5 MAXIMUM SURGE POWER
FIGURE.4 EFFECT OF ZENER CURRENT
FIGURE.3TYPICAL THERMAL RESISTANCE
versus LEAD LENGTH
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 1N4764AHB0G | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 76V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:1,000 |
| 1N4764AHR0G | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 76V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:5,000 |
| 1N4764AHR1G | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 76V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:5,000 |
| 1N4764AP/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 100V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 100V 5% DO41 |
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