參數(shù)資料
型號(hào): 1N4735A-G
廠商: PanJit International Inc.
英文描述: SILICON ZENER DIODE
中文描述: 硅穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
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代理商: 1N4735A-G
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STAD-MAY.17.2006
1N4728A-G~1N4764A-G
FIGURE.8 TYPICAL LEAKAGE CURRENT
FIGURE.10 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
FIGURE.9 TYPICAL CAPACITANCE versus Vz
Vz, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4736A-G SILICON ZENER DIODE
1N4737A-G SILICON ZENER DIODE
1N4738A-G SILICON ZENER DIODE
1N4739A-G SILICON ZENER DIODE
1N4740A-G SILICON ZENER DIODE
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參數(shù)描述
1N4735A-G _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4735A-G_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4735AP 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Zener Voltage Regulator Diode
1N4735AP/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 6.2V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 6.2V 5% DO41
1N4735AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO-41 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng))(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT