參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4247GP-HE3
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 328K
代理商： 1N4247GP-HE3
1N4245GP thru 1N4249GP
Document Number 88506
14-Sep-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
1
Pat
ente
d*
DO-204AL (DO-41)
* Glass-plastic encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602,
brazed-lead assembly
by Patent No. 3,930,306
Glass Passivated Junction Rectifier
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
1.0 A
VRRM
200 V to 1000 V
IFSM
25 A
IR
1.0 A
VF
1.2 V
Tj max.
175 °C
Features
Superectifier structure for High Reliability
application
Cavity-free glass-passivated junction
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward surge capability
Meets environmental standard MIL-S-19500
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Typical Applications
For use in general purpose rectification of power sup-
plies, inverters, converters and freewheeling diodes
application
Mechanical Data
Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes cathode end
Maximum Ratings
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol 1N4245GP
1N4246GP
1N4247GP
1N4248GP
1N4249GP
Unit
* Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
200
400
600
800
1000
V
* Maximum RMS voltage
VRMS
140
280
420
560
700
V
* Maximum DC blocking voltage
VDC
200
400
600
800
1000
V
* Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 55 °C
IF(AV)
1.0
A
* Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
IFSM
25
A
* Maximum full load reverse current, full cycle
average 0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 55 °C
IR(AV)
50
A
* Operating junction temperature range
TJ
- 65 to + 160
°C
* Storage temperature range
TSTG
- 65 to + 175
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4249GP-E3 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4249GP-HE3 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N5619GP-E3 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
1N5619GP-HE3 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
1N5622GP-E3 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4247GPHE3/54 功能描述:整流器 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4247GPHE3/73 功能描述:整流器 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4247GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 160°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500
1N4247GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 160°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1N4248 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 800V 1A 2-Pin Case A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 800V 1A 2PIN A - Bulk 制造商:NTE Electronics 功能描述:R-SI 800V 1A
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