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參數資料
| 型號： | 1N4007G |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | 1N4007G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4007 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4007 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4007 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4003 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4005 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4007-G | 功能描述:整流器 1A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4007G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 |
| 1N4007G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N4007G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| 1N4007G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
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