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參數資料
| 型號： | 1N4006 |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | 1N4006 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4007 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5393 | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
| 1N5399 | 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
| 1N4002 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4005 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4006- | 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A |
| 1N4006 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4006 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 |
| 1N4006 R0 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K |
| 1N4006 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 |
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