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參數(shù)資料
| 型號： | 1KAB10E |
| 元件分類： | 橋式整流 |
| 英文描述： | 1.2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | D-38, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | 1KAB10E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1KAB60E | 1.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1KAB5EL5 | 1.5 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 18DB6A | 1.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1M1401B | 550 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1M1404A | 120 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1KAB10E | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bridge Rectifier 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:BRIDGE RECTIFIER 1 PH 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:BRIDGE RECTIFIER, 1 PH |
| 1KAB20E | 功能描述:橋式整流器 200 Volt 1.2 Amp RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| 1KAB20EPBF | 制造商:Vishay 功能描述:200V Bulk |
| 1KAB40E | 功能描述:橋式整流器 400 Volt 1.2 Amp RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| 1KAB40E | 制造商:International Rectifier 功能描述:BRIDGE RECTIFIER |
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