參數(shù)資料
型號(hào)： 1A1G
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： 1A1G
PAGE . 2
STAD-FEB.04.2009
1
1A1G~1A7G
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
3.0
2.0
1.0
0
050
100
150
0.5
1.5
2.5
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
P.C.B MOUNTED ON 0.3 x 0.3"
(8.0 x 8.0mm) COPPER PAD AREAS
A
VERAGE
F
OR
W
A
RD
RECTIFIED
CURRENT
,
AMPERES
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.4
Fig.2-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
INST
ANT
A
NEOUS
F
OR
W
A
RD
CURRENT
,
AMPERES
25
20
15
10
5
0
1
2
6
10
20
40
60
100
30
Fig.4-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
PEAK
FOR
W
ARD
S
URGE
C
URRENT
,AMPERES
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
10
0.1
1.0
100
1000
1
2
5
10
20
50
100
CAP
A
CIT
A
NCE,
p
F
T= 25 C
f = 1.0mHz
Vsig = 50mVp-p
J
O
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
Fig.3-TYPICALREVERSECHARACTERISTIC
INST
ANT
A
NEOUS
REVERSE
CURRENT
,u
A
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%
0.01
20
40
60
80
100
120
140
0.1
1.0
10
100
T= 125 C
o
J
T= 100 C
J
O
T= 25 C
J
O
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1A4G 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1A1 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1A2 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1A4 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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1A1G_09 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:MINIATURE GLASS PASSIVATED JUNCTION PLASTIC RECTIFIER
1A1G04QDBVRG4Q1 功能描述:變換器 Auto Cat Sgl Invrtr Gate RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
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