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參數(shù)資料
| 型號： | μPD4217805 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 16 M BIT DYNAMIC RAM 2 M WORD BY 8 BIT,EDO |
| 中文描述： | 1,600位CMOS動態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 31/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | ΜPD4217805 |
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μ
PD42S17805, 4217805
31
Test Mode Set Cycle (WE, CAS Before RAS Refresh Cycle)
RAS
CAS
WE
t
CSR
t
CHR
t
WSR
t
WHR
t
RPC
t
CRP
t
RC
t
RAS
t
RP
V
IH
_
V
IL
_
V
IH
_
V
IL
_
V
IH
_
V
IL
_
Remark
Address, OE: Don’t care I/O: Hi-Z
Test Mode
By using the test mode, the test time can be reduced. The reason for this is that, the memory emulates the
×
16-bit organization during test mode. Don't care about the input levels of the CAS input A0.
(1) Setting the mode
Executing the test mode cycle (WE, CAS before RAS refresh cycle) sets the test mode.
(2) Write/read operation
When either a “0” or a “1” is written to the input pin in test mode, this data is written to 16 bits of memory cell.
Next, when the data is read from the output pin at the same address, the cell can be checked.
Output = “1”: Normal write (all memory cells)
Output = “0”: Abnormal write
(3) Refresh
Refresh in the test mode must be performed with the RAS / CAS cycle or with the WE, CAS before RAS refresh
cycle. The WE, CAS before RAS refresh cycle use the same counter as the CAS before RAS refresh’s internal
counter.
(4) Mode Cancellation
The test mode is cancelled by executing one cycle of RAS only refresh cycle or CAS before RAS refresh cycle.
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