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ZXMN2088DE6TA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
ZXMN2088DE6TA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 功率驅(qū)動器IC 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 產(chǎn)品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 類型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升時間
  • 下降時間
  • 電源電壓-最大
  • 30 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.75 V
  • 電源電流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-8
  • 封裝
  • Tube
ZXMN2088DE6TA 技術參數(shù)
  • ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應商器件封裝:SM8 標準包裝:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道和 2 個 P 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A,800mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應商器件封裝:SM8 基本零件編號:ZXMHC10A07T8 標準包裝:1 ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA ZXMN2A14FTA ZXMN2AM832TA ZXMN2AMCTA ZXMN2B01FTA ZXMN2B03E6TA ZXMN2B14FHTA ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TC ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTC
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