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ZXMN10A07FTA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
ZXMN10A07FTA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 100V N-Chnl UMOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ZXMN10A07FTA 技術(shù)參數(shù)
  • ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應商器件封裝:SM8 標準包裝:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道和 2 個 P 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A,800mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應商器件封裝:SM8 基本零件編號:ZXMHC10A07T8 標準包裝:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 1.2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A,3.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250mA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.9A,2.1A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-MLP(3x3) 標準包裝:1 ZXMN10A11GTC ZXMN10A11K ZXMN10A11KTC ZXMN10A25GTA ZXMN10A25K ZXMN10A25KTC ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TC ZXMN15A27KTC ZXMN2069FTA ZXMN2088DE6TA ZXMN20B28KTC ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTC ZXMN2A02N8TA ZXMN2A02X8TA
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