VND7NV0413TR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共58條
上一頁 1 2

您是不是要找： VND7NV04-1-E VND7NV04-E VND7NV04TR-E VND810 VND81013TR VND810-E VND810MSP VND810MSP13TR VND810MSP-E

VND7NV0413TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

VND7NV0413TR PDF下載

功能描述
電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 6A OmniFET
RoHS
否
制造商
Exar
輸出端數(shù)量
1
開啟電阻（最大值）
85 mOhms
開啟時間（最大值）
400 us
關(guān)閉時間（最大值）
20 us
工作電源電壓
3.2 V to 6.5 V
電源電流（最大值）
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-5

VND7NV0413TR 技術(shù)參數(shù)

VND7NV04-1 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 6A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VND7NV04 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 6A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VND7N04TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7N04-1-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND810MSPTR-E VND810PEP-E VND810PEPTR-E VND810PTR-E VND810SP VND810SP13TR VND810SP-E VND810SPTR-E VND810TR-E VND830 VND83013TR VND830AEP-E VND830AEPTR-E VND830ASP VND830ASP13TR VND830ASP-E VND830ASPTR-E VND830E