參數(shù)資料
型號: STTH16003
英文描述: HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
中文描述: 高頻二次整流
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 124K
代理商: STTH16003
0
10
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0
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90
IF(av) (A)
P1(W)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
Fig. 1:
Conduction losses versus average current
(per diode).
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
1
10
100
600
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Typical values
Tj=25°C
Maximum values
Tj=125°C
Maximum values
Fig. 2:
Forward voltage drop versus forward
current (per diode)
.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
trr(ns)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
dIF/dt(A/μs)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dI
F
/dt (90%
confidence, per diode).
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
5
10
15
20
25
30
dIF/dt(A/μs)
IRM(A)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dI
F
/dt (90% confidence, per diode).
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
S factor
VR=200V
Tj=125°C
dIF/dt(A/μs)
Fig. 6:
Softness factor (tb/ta) versus dI
F
/dt (typical
values, per diode).
STTH12003TV
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