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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP2003QFP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 12/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | STP2003QFP |
12
STP2000QFP
32-bit SBus Master I/O Controller
Master I/O
July 1997
1. These minimum numbers are required to comply with ANSI SCSI spec. For Synchronous SCSI data transfers and FASTCLK enabled,
the clock inputs must also meet the following requirements: 2t
CP
+ t
CL
> 97.92 ns and 2t
CP
+ t
CH
> 97.92 ns.
Synchronous SCSI Input Cycle
42
Data setup to SCSI_REQ/SCSI_ACK low
5
–
ns
43
Data hold from SCSI_REQ/SCSI_ACK low
15
–
ns
44
SCSI_REQ assertion period
27
–
ns
45
SCSI_REQ negation period
20
–
ns
46
SCSI_ACK assertion period
20
–
ns
47
SCSI_ACK negation period
20
–
ns
AC Characteristics: Ethernet Timing
Signal #
Parameter
Min
Max
Units
48
ENET_TCLK period
99
101
ns
49
ENET_TCLK high pulse duration
45
–
ns
50
ENET_TCLK low pulse duration
45
–
ns
51
ENET_TCLK rise time
–
8
ns
52
ENET_TCLK fall time
–
8
ns
53
ENET_TENA propagation delay after rising edge of ENET_TCLK
–
25
ns
54
ENET_TENA hold time after ENET_TCLK rising
7
–
ns
55
ENET_TX propagation delay after ENET_TCLK rising
–
32
ns
56
ENET_TX hold time after ENET_TCLK rising
7
–
ns
57
ENET_RCLK period
85
118
ns
58
ENET_RCLK high pulse duration
38
–
ns
59
ENET_RCLK low pulse duration
38
–
ns
60
ENET_RCLK rise time
–
8
ns
61
ENET_RCLK fall time
–
8
ns
62
ENET_RX data rise time
–
8
ns
63
ENET_RX data fall time
–
8
ns
64
ENET_RX data hold time from ENET_RCLK rising
5
–
ns
65
ENET_RX data setup time to ENET_RCLK rising
40
–
ns
66
ENET_RENA low duration
120
–
ns
67
ENET_CLSN high duration
110
–
ns
68
ENET_RENA hold time after the rising edge of ENET_RCLK
1
–
ns
69
ENET_RENA defer before ENET_TENA
356
–
ns
70
ENET_RENA extended after ENET_RCLK last falling
–
275
ns
AC Characteristics: SCSI TIming (Continued)
Signal #
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| STP2014PQFP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP200N3LL | 功能描述:N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
| STP200N4F3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40Volt 120Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP200N6F3 | 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A PAK TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP200NF03 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP200NF04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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