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參數(shù)資料
| 型號： | STP2000QFP |
| 英文描述： | I/O Controller |
| 中文描述： | I / O控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 8/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | STP2000QFP |
8
STP2000QFP
32-bit SBus Master I/O Controller
Master I/O
July 1997
E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
1. Operation of the device at values in excess of those listed above will result in degradation or destruction of the device. All voltages
are defined with respect to ground. Functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under
“recommended operating conditions” is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may
affect device reliability.
Absolute Maximum Ratings
[1]
Symbol
Parameter
Rating
Units
V
CC
V
IN
I
I
T
L
T
J
T
S
Power supply voltage
7.0
V
Input voltage
V
CC
+ 0.5
100
V
Current Drain V
CC
and GND
Lead temperature (less than 10 second soldering)
mA
250
°
C
°
C
°
C
Operating temperature
0 to +70
Storage temperature
-55 to +150
Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
V
CC
T
A
P
D
Supply voltage
4.75
5.0
5.25
V
Operating Temperature
0
25
70
°
C
Power consumption (@ 25 MHz SBus)
–
750
1400
mW
Capacitance
Symbol
Parameter
Typ
Max
Units
C
IN
C
OUT
C
BI
C
SCSI
Input capacitance
6
–
pF
Output capacitance
6
–
pF
Bidirectional pin capacitance
6
–
pF
SCSI pin capacitance
–
10
pF
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2001QFP | I/O Controller |
| STP2002QFP | I/O Controller |
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| STP2003QFP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STP2002QFP | 制造商:SUN 功能描述: |
| STP2003PQFP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
| STP2003QFP | 制造商:SUN 功能描述: |
| STP200N3LL | 功能描述:N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
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