參數(shù)資料
型號(hào): STP12NR20FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直| 7A條(丁)| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
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代理商: STP12NR20FI
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
I
_
GT3
I
I
+
GT1
_
GT1
I
G
C
I
G
C
Junction Temperature [
o
C]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.1
1
10
C
Time (sec)
4/5
Fig 8. Transient Thermal Impedance
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
▼▲
6V
A
V
10
R
G
▼▲
A
V
10
6V
R
G
▼▲
A
V
10
6V
R
G
Test Procedure
Test Procedure
Test Procedure
STP12A60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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STP130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2600pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP130NH02L 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 24V 90A TO-220AB