參數(shù)資料
型號： STP12NR20FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 7A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 689K
代理商： STP12NR20FI
Absolute Maximum Ratings
( T
J
= 25°C unless otherwise specified )
Symbol
Parameter
Condition
Ratings
Units
V
DRM
Repetitive Peak Off-State Voltage
600
V
I
T(RMS)
R.M.S On-State Current
T
C
= 100 °C
12
A
I
TSM
Surge On-State Current
One Cycle, 50Hz/60Hz, Peak,
Non-Repetitive
119/130
A
I
2
t
I
2
t
71
A
2
s
P
GM
Peak Gate Power Dissipation
5.0
W
P
G(AV)
Average Gate Power Dissipation
0.5
W
I
GM
Peak Gate Current
2.0
A
V
GM
Peak Gate Voltage
10
V
T
J
Operating Junction Temperature
- 40 ~ 125
°C
T
STG
Storage Temperature
- 40 ~ 150
°C
Mass
2.0
g
Feb, 2003. Rev. 2
Features
◆
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V
◆
R.M.S On-State Current ( I
T(RMS)
= 12 A )
◆
High Commutation dv/dt
General Description
This device is suitable for AC switching application, phase
control application such as fan speed and temperature mod-
ulation control, lighting control and static switching relay.
2.T2
3.Gate
1.T1
Symbol
○
○
○
TO-220
▼▲
1/5
STP12A60
SemiWell
Semiconductor
1
2
3
Bi-Directional Triode Thyristor
copyright@SemiWell Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP12PF06 P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP12NB30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NB30FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
STP8A60 Bi-Directional Triode Thyristor
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參數(shù)描述
STP12PF06 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP12PF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, TO-220
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STP130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP130NH02L 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 24V 90A TO-220AB
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