參數(shù)資料
型號： STP12NB30
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型MOSFET的PowerMESH
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 689K
代理商： STP12NB30
Dim.
mm
Typ.
Inch
Typ.
Min.
9.7
6.3
9.0
12.8
1.2
Max.
10.1
6.7
9.47
13.3
1.4
3.4
1.4
2.7
5.15
2.6
1.55
0.6
1.0
Min.
0.382
0.248
0.354
0.504
0.047
Max.
0.398
0.264
0.373
0.524
0.055
0.134
0.055
0.106
0.203
0.102
0.061
0.024
0.039
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
φ
1.7
2.5
0.067
0.098
3.0
1.25
2.4
5.0
2.2
1.25
0.45
0.6
0.118
0.049
0.094
0.197
0.087
0.049
0.018
0.024
3.6
0.142
TO-220 Package Dimension
5/5
STP12A60
1. T1
2. T2
3. Gate
A
B
C
I
G
L
1
2
M
E
F
φ
H
K
N
O
3
J
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP12NB30FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
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STPM01 PROGRAMMABLE SINGLE PHASE ENERGY METERING IC WITH TAMPER DETECTION
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參數(shù)描述
STP12NB30FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NK30Z 功能描述:MOSFET N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP12NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP12NK60Z_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V @Tjmax, 0.53 Ω, 10 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STP12NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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